非易失性存储器一期扩建项目 (英特尔半导体大连有限公司(美国独资))
大型项目

项目地区中国内地辽宁省大连市金普新区淮河东路109号
总投资额(百万)500
占地面积(m2)
建筑面积(m2)159406
完工时间2018